铠侠计划到2031年开始量产1000层3D NAND闪存芯片

铠侠计划到2031年量产1000层以上的3D NAND闪存芯片。据Xtech Nikkei报道，这是在东京大学应用物理学会第71届春季会议期间的一次演讲中宣布的，由铠侠技术总监Hidefumi Miyajima宣布。在演讲中，他谈到了与技术问题相关的问题以及解决这些问题以创建1000层3D NAND芯片的方法。